如今AI的火爆让存储厂商赚得是盆满钵满，尤其是铠侠这样的企业更是如此。丰厚的利润也让厂商愿意投入更多的资源从事新一代闪存的研发，根据最新的消息，铠侠计划在明年量产第十代BiCS FLASH产品，看起来比原定的2026年底延期了一段时间，BiCS10最高拥有332层的规格，主要用于超大容量SSD的制造，并且大概率还将针对AI市场对闪存进行特别的优化，估计明年投产之后又是强大的印钞机。
目前铠侠已经在BiCS 8中引入了最新的CBA技术，同时在2025年出样了基于最新CMOS技术打造的BiCS 9闪存颗粒，相关的产品也已经出炉，不过NAND闪存的发展速度似乎已经跟不上AI的发展速度，各大AI超算平台以及数据中心都等待着更加出色的NAND闪存的推出，因此铠侠也加快了相关产品的研发与量产。
根据最新的报道，铠侠BiCS 10的存储堆叠层数可以达到332层，从而带来更大的存储空间以及速度，密度相比较现在的BiCS8能够提高59%，I/O速度也可以达到最高4.85Gbps，这几项数据都针对AI进行了特别的优化，估计铠侠未来搭载BiCS 10的SSD也是首发数据中心，普通消费者或许要等到2028年才能看到相关的产品。
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